H4PMo11VO40掺杂辅助氧化法制备聚苯胺基复合电容材料

摘要：

以自制的H4PMo11VO40作为质子酸掺杂剂兼辅助氧化剂,配合过硫酸铵氧化剂,采用固相研磨法制备了H4PMo11VO40/聚苯胺复合电容材料.通过X-射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)对产物的结构特征进行表征,证实得到的产物确为掺杂复合材料,且该法所得产物结构有序、晶化率较好.以产物在0.5m1/L H2SO4电解液中的循环伏安曲线为指标,重点考察了H4PMo11VO40与过硫酸铵在氧化聚合苯胺时的最佳配合比例,以期得到电容性能较好的复合材料.结果表明,在苯胺单体、PMo11V与过硫酸铵的物质量比为1:1/3:9/10时,在-0.1～0.7V电位范围内,材料的比电容值最大,电容特性最优.

关键词：聚苯胺、H4PMo11 VO40、掺杂材料、固相研磨、赝电容

所属期刊栏目：39

分类号：TQ4;O63

资助基金：广西信息材料重点实验室开放课题0710908-04-K;广西自然科学基金0832257

在线出版日期：2011-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：46-49