LED用YAG:Ce3+荧光粉包覆SiO2膜的研究

摘要：

选用热稳定性好、无色透明的SiO2为包覆物,采用溶胶法,以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,对YAG:Ce3+荧光粉的表面进行SiO2膜的包覆研究,以解决LED荧光粉在使用过程中突出的热劣化问题.采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)和荧光光谱(FS)等对包膜前后的YAG:Ce3+荧光粉的晶体结构、表面形貌、发光性能等进行表征和分析.结果表明,YAG:Ce3+荧光粉表面上包覆了一层均匀且致密的氧化硅膜层,且对包膜后的YAG:Ce3+荧光粉的发光性能基本没有影响,包覆效果较好.

关键词：溶胶法YAG:Ce3+荧光粉、SiO2膜、包覆、热劣化

所属期刊栏目：39

分类号：TS1;TQ1

资助基金：四川省科技攻关重点项目08GY0082;攀枝花市产业推进科技项目2009CY-C-4

在线出版日期：2011-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：100-102