射频磁控溅射硅薄膜的制备与结构研究

摘要：

采用拉曼光谱、光学显微镜、透射电镜研究了不同衬底温度、腔体气压对射频磁控溅射法制备的不含氢硅薄膜相结构和形貌的影响.结果表明430℃时薄膜中出现微晶相,平均晶粒尺寸2.8nm.腔体内杂质及衬底表面的显微缺陷会诱发薄膜针孔、凹坑等缺陷的产生.低温、高压会导致薄膜中空洞缺陷的密集.

关键词：射频磁控溅射、硅薄膜、拉曼光谱、针孔缺陷

所属期刊栏目：37

分类号：O6 ;O48

资助基金：中国地质大学北京大学牛创新性实验计划项目专项基金

在线出版日期：2009-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：69-71