10.3969/j.issn.1006-3536.2009.02.009
新型SiO2基微/介孔材料的合成及其对集成电路生产中VOCs废气的吸附研究
采用新型SiO2基微/介孔材料为吸附剂,针对集成电路(Integrated Ciruit,IC)产业中废气排放的特点,以丙酮、苯、甲苯为挥发性有机化合物(VOCs)的典型,进行了一系列吸附实验.用气相色谱定时测取VOCs获得动态穿透曲线,就各VOCs分别在SiO2基微/介孔材料、疏水沸石、活性炭3种吸附荆上的吸附以及SiO2基微/介孔材料对3种不同VOCs的吸附进行了研究,同时考察了水蒸汽脱附对该材料吸附性能的影响.实验结果显示,该吸附剂在对VOCs的吸附中较疏水沸石FX-I和活性炭有着明显的优势,主要表现在透过时间的延迟和传质区长度的缩短.
IC产业、SiO2基微/介孔材料、穿透曲线、挥发性有机物(VOCs)
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TH4;X38
国家科技支撑计划重点项目2006BAc02A08
2009-04-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
26-28,69