10.3969/j.issn.1006-3536.2005.01.006
离子络合法制备ZnO纳米线
通过高聚物PAM与锌盐发生离子络合反应,将络合溶液涂膜在单晶硅片上,再通过烧结使之生长出ZnO纳米线.用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)对所得样品的结构与形貌进行分析表征,结果表明ZnO纳米线直径约60~80 nm、长度约1~2μm,单晶,为六方晶系,且沿c轴方向优先生长.
ZnO、纳米线、离子络合法
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O78;O61
上海市纳米科技专项基金0252nm012;上海市教委资助项目03AK30;上海市教委资助项目
2005-03-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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21-23,32