离子络合法制备ZnO纳米线

摘要：

通过高聚物PAM与锌盐发生离子络合反应,将络合溶液涂膜在单晶硅片上,再通过烧结使之生长出ZnO纳米线.用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)对所得样品的结构与形貌进行分析表征,结果表明ZnO纳米线直径约60～80 nm、长度约1～2μm,单晶,为六方晶系,且沿c轴方向优先生长.

关键词：ZnO、纳米线、离子络合法

所属期刊栏目：33

分类号：O78;O61

资助基金：上海市纳米科技专项基金0252nm012;上海市教委资助项目03AK30;上海市教委资助项目

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：21-23,32