聚硅烷导电性能及氧化掺杂

摘要：

介绍了聚硅烷导电材料的国内外研究进展,侧重阐述了聚硅烷的中性半导体行为及其独特的σ电子的离域性;并简单介绍了提高聚硅烷导电性能的不同掺杂手段,着重叙述了聚硅烷氧化掺杂导电的机理及影响其掺杂功效的几个重要因素,同时对该领域今后的发展方向作出展望.

关键词：聚硅烷、导电性能、电子离域、氧化掺杂

所属期刊栏目：32

分类号：TQ2(基本有机化学工业)

在线出版日期：2004-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：5-9