垂直碳纳米管阵列的生长控制研究进展

摘要：

垂直碳纳米管（VACNT）阵列由于具有良好的排列、优异的导电导热能力、高比表面积、高纯度等优点而得到广泛应用。本文概述了用于碳纳米管阵列生长的热化学气相沉积（CVD）制备方法的最新进展，重点阐述了CVD法生长碳纳米管阵列的动力学与生长终止机理，指出CVD过程中的催化剂形貌演化是引发碳纳米管阵列生长停止的重要原因。介绍了人们通过生长条件控制与催化剂设计等方法调控碳纳米管阵列结构（包括管壁数、管径和密度）方面取得的进展，指出碳纳米管阵列的大批量制备及结构参数的精确调控是未来发展的重点。

关键词：垂直碳纳米管阵列、化学气相沉积、动力学、结构调控

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金51272157、51072118、50901086;教育部留学回国人员科研启动基金项目。

在线出版日期：2014-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1491-1497