10.3969/j.issn.1003-5060.2023.05.007
一种频率与温度无关的片内RC振荡器设计
文章基于SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,设计了一种频率与温度无关的片内电流模RC振荡器,该振荡器采用1.8 V电源供电,输出频率为100 M Hz,振荡器主要由温度补偿电流源、开关电容充放电回路、反相器比较延时单元以及时钟输出单元组成.通过Cadence Spectre仿真验证表明:在-40~125℃范围内,TT工艺角条件下,振荡器的输出频率范围为100.06~100.16 M Hz,频率随温度变化为0.10%,用温度系数表示为6.06×10-6℃-1;SS工艺角条件下,振荡器的输出频率范围为99.90~100.23 M Hz,频率随温度变化为0.33%,用温度系数表示为20.00×10-6℃-1;FF工艺角条件下,振荡器的输出频率范围为99.96~100.07 M Hz,频率随温度变化为0.11%,用温度系数表示为6.67×10-6℃-1.
RC振荡器、温度补偿、温度系数、电流模
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
国家科技重大专项2016ZX02301002001
2023-06-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
616-618,640