一种无片外电容LDO的瞬态补偿电路设计

摘要：

文章设计了一种用于电池供电设备中的全片上集成低压差稳压器(low-dropout regulator,LDO)芯片,其设计采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,为了保证电路具有好的静态性能,使用单级高增益折叠共源共栅放大器作为误差放大器,并设计了一个简单的比较补偿电路来改善LDO的瞬态性能.仿真结果表明:当负载电流在0.5μs内发生跳变时,其建立时间在2.0μs以内;线性调整率和负载调整率分别为0.0475 mV/V、0.00214 V/A;当电源电压范围为1.91～3.60V时,输出电压稳定在1.80V.

关键词：低压差稳压器(LDO)、瞬态响应、瞬态补偿、线性调整率、负载调整率

所属期刊栏目：43

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目;安徽省科技重大专项资助项目;安徽省科技攻关计划资助项目;安徽省大学生创新创业训练计划资助项目

在线出版日期：2020-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1213-1217