单层Bi2Se3拓扑绝缘体薄膜电子结构与 光学性质的理论研究

摘要：

文章利用第一性原理计算研究了厚度为1QL(quintuple layer)的Bi2Se3单层薄膜的成键特点、电子结构和光学性质.电荷密度差分分析表明,1QL薄膜内Bi与Se原子层间除表现为强度不同的共价键成分外,还有电荷转移引起的弱的离子键成分.光学性质计算表明,薄膜的光学性质表现出不同于体相的特征.介电函数虚部在低能区和高能区分别出现2个多峰结构,而且相对于体相,2个多峰结构分别发生明显的蓝移和红移现象.低能区的蓝移与近期的实验结果是一致的,而高能区的红移是首次预测的.结合电子结构计算,把蓝移和红移归因于表面电子态之间以及表面与体电子态之间耦合作用所致.此外,相对于体相,在介电函数实部和电子能量损失谱中也观察到峰位移动,而且反射系数的多峰结构的能量分布范围比较广,表明薄膜具有较低的光学透明度.

关键词：拓扑绝缘体、Bi2Se3薄膜、电子结构、光学性质、蓝移

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分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目21503061;安徽省自然科学基金资助项目1708085ME122

在线出版日期：2019-01-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1647-1651