10.3969/j.issn.1003-5060.2016.09.009
直拉硅单晶中微缺陷的特征及演变
直拉硅单晶抛光片经过高温氧化后,腐蚀显示出氧化诱生缺陷,包括漩涡缺陷和氧化层错(oxidation induced stacking faults ,OISF),其形状和分布与单晶生长过程中形成的微缺陷有一定的对应关系。文章通过试验显示出漩涡缺陷的内部特征及O IS F的密度变化,推测出其对器件性能产生的影响,并确定控制单晶质量的特征参数。
微缺陷、氧化诱生、漩涡缺陷、氧化层错
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TN304.053(半导体技术)
国防基础科研资助项目A1120132018
2016-10-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1196-1198,1225