基于可控Cd掺杂In2O3纳米线的电学特性研究

摘要：

文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线,制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管,并研究了其电输运特性.结果表明,相对未掺杂的In2O3纳米线,In2O3:Cd纳米线的电导率有1～2个数量级变化,载流子迁移率高达58.1 cm2/(V·s),载流子浓度高达3.7×1018 cm-3.可控Cd掺杂In2O纳米线将在纳米光电子器件方面有着广泛的应用前景.

关键词：In2O3纳米线、化学气相沉积、Cd掺杂、场效应晶体管

所属期刊栏目：35

分类号：TN305.3;TB383(半导体技术)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目2010HGXJ0077

在线出版日期：2012-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：780-783