Mo掺杂In2O3电子结构和光学性质的第一性原理计算

摘要：

运用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)第一性原理计算方法,研究了 Mo 掺杂In2O3半导体的电子结构和光学性质.研究结果表明:Mo属于n型掺杂,引入的杂质能级使掺杂体系的有效禁带宽度变窄,掺杂体系载流子浓度的提高有效地改善了 In2O3半导体的导电性;Moo(Mo替代O缺陷)引入的杂质能级可以作为电子从价带向导带跃迁的桥梁,使得掺杂体系光学吸收谱的吸收边发生了明显的红移,有效提升了 In2O3半导体材料在可见光区、红外光区和远红外光区对光子的吸收幅度,从掺杂体系的反射系数也可以得到同样的结论;Mo 掺杂引入的杂质能级可以有效提升In2O3半导体材料的介电性能,这有利于光生电子-空穴对的产生和分离,从而提高了 In2O3半导体材料对光子的吸收和转化效率.总之,Mo的掺杂可有效改善In2O3半导体光学性能,进一步拓展了 In2O3在红外光光电子器件领域的应用.

关键词：1n2O3、Mo、电子结构、光学性质、第一性原理计算

所属期刊栏目：49

分类号：O433(光学)

资助基金：国家自然科学基金11764032

在线出版日期：2022-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：47-52