Bi,Se和Te吸附n/p型石墨烯电子结构研究

摘要：

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Bi,Se,Te在缺陷(单空位,B掺杂和N掺杂)石墨烯上的吸附结构及电子和磁性质.研究表明:在能量稳定的Bi(Se)/石墨烯吸附体系中,Bi吸附诱导产生磁性;在空位缺陷石墨烯上的吸附会改变费米能级处态密度分布,影响体系的导电性质;在B(N)掺杂吸附体系中,B比N对吸附原子的影响大;除Se在B掺杂石墨烯上吸附外,Bi,Se,Te在其它n/p型掺杂吸附体系中均显示磁性.缺陷增强了Bi,Se,Te与石墨烯之间的相互作用,对吸附体系的电子结构和电荷分布有较大的影响.

关键词：石墨烯、拓扑绝缘体、吸附、掺杂、Bi、Se、Te

所属期刊栏目：42

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金11304085

在线出版日期：2014-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：26-31