10.3969/j.issn.1000-2367.2010.06.018
成份依赖的软磁材料 CoFeB 和 CoFeSiB
采用磁控溅射技术制备了两种不同的富钴非晶磁性材料CoFeB和CoFeSiB.对它们的磁特性与成分的依赖关系以及作为磁性隧道结自由层的翻转特性进行了研究.在大块材料样品状态下(厚度约为1 μm),CoFeB的矫顽力可达到2.51×10-2 A/m,CoFeSiB则显示出1.25×10-2 A/m的矫顽力.而对于磁性隧道结的磁电阻测量表明:CoFeB薄膜的自旋极化对钴含量非常敏感,从而导致隧道结磁电阻值也发生明显的变化.相比较而言,CoFeSiB的翻转特性由于钴含量的变化而受到很大影响,而自旋极化对钴含量的依赖不甚明显,在很高的钴含量(80%)时达到饱和.结果表明,通过适当的调整非金属元素Si和B的含量,可以很好的调整CoFeSiB的软磁性能而有望满足下一代高密度自旋电子学器件对于材料的苛刻要求.
非晶、自旋极化、CoFeB、CoFeSiB、矫顽力、翻转场
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O482.54(固体物理学)
河南师范大学博士科研启动课题01026600028;河南师范大学校青科基金01026400017;河南省教育厅自然科学研究计划项目2010B140008
2011-03-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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