10.3969/j.issn.1000-2367.2009.03.016
外电场作用下MgF2电子结构特性研究
利用密度泛函B3P86方法在cc-pVTZ基组水平上研究了不同外电场对MgF2分子基态键长、键角、偶极矩、电荷分布、能级分布的影响. 结果表明随外电场强度增大,最高占据轨道与最低空轨道能隙变小,占据轨道的电子易于激发至空轨道,因而为研究MgF2材料的电致发光机制提供了一定的理论基础.
MgF2、B3P86、电场、能级
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O561(分子物理学、原子物理学)
国家自然科学基金10774039;河南省自然科学基金072300410130;河南省教育厅基础研究项目? 2008A140006?
2009-10-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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