10.3969/j.issn.1000-2367.2003.01.014
纳米WO3气敏材料的制备与表征
本文用沉淀法制得了xwt%SiO2+WO3 (x=3,10,15,20)纳米粉体,对其进行了XRD物相分析,以TEM观察其形貌并测得平均粒径,并与烧结法制得的纯WO3纳米粉体进行比较,结果表明:沉淀法可获得单斜晶系和三斜晶系共存的WO3纳米粉体,晶粒尺寸随SiO2掺杂量增加而减小,所得粉体粒径范围为20-30nm,粒度均匀.
三氧化钨、纳米粉体、气敏材料、二氧化硅、沉淀法
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O643(物理化学(理论化学)、化学物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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