集成电路Cu互连中NbxSi1-x扩散阻挡层的制备与热稳定性研究

摘要：

随着集成电路深亚微米工艺的不断发展,Cu因其低电阻率以及良好的抗电迁移能力成为了新一代的互连材料.然而,Cu和Si元素扩散造成的污染是无法避免的.为了阻止Cu的扩散同时提高Cu与Si之间的粘附性,在Cu互连线外添加一层扩散阻挡层的技术十分必要.寻找能够有效克制Cu扩散的阻挡层材料已经成为近年来Cu互连技术研究中的重点研究之一.本文采用射频磁控溅射技术和直流磁控溅射技术在单晶Si(100)衬底上制备了NbxSi1-x/Si系统和Cu/NbxSi1-x/Si系统并对不同退火温度热处理后的Cu/NbxSi1-x/Si系统的电阻率和热稳定性进行了探究.

关键词：Cu互连、NbxSi1-x薄膜、阻挡层、Cu/NbxSi1-x/Si系统、磁控溅射

所属期刊栏目：38

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2018-11-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：45-48