第一性原理计算Sn掺杂钛酸钡陶瓷的压电性能

摘要：

为了探究Sn掺杂钛酸钡无铅压电陶瓷的微观结构和宏观电学性能的调控机理.采用第一性原理的密度泛函理论方法计算了锡钛酸钡陶瓷(BaTi1-xSnxO3,简写为BTSx,x=0,0.125,0.20,0.25,0.33 和0.50)的能带结构、态密度和压电性能,研究了其压电性调控机理.研究发现:钛酸钡陶瓷的带隙宽度为 1.780 eV,在所研究的组分范围内,随着Sn掺杂量的增加,BTSx陶瓷样品的带隙宽度单调减小.其态密度图谱表明原子之间的轨道杂化使压电性更稳定,钛酸钡陶瓷中B位Sn掺杂使其室温压电性能增强.

关键词：第一性原理、BaTiO3陶瓷、电子结构、压电性

所属期刊栏目：29

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：黑龙江省自然科学基金面上项目E2016041

在线出版日期：2024-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：134-140