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10.15938/j.jhust.2015.01.005

无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜耐电晕性能研究进展

引用
随着电力电子技术的发展,脉宽调制逆变器被广泛应用,变频电机中绝缘材料因电晕过早失效的情况,强烈要求耐电晕性能更佳的绝缘材料.纳米杂化聚酰亚胺(PI)是目前最佳的耐电晕性能材料之一,是目前电气、材料、物理和化学领域的研究热点.综述了纳米杂化PI耐电晕薄膜的国内外研究现状,分类介绍了Al2O3,TiO2,SiO2等不同种纳米颗粒掺杂PI的耐电晕性能,并初步概括了其电场作用下的老化和现有的耐电晕机理和模型.总体来看,研究材料载流子输运和电老化的起始、抑制机理,纳米颗粒掺杂对基体的电晕老化影响的规律,开发出更高绝缘等级和耐电晕的PI的依然有具有十分重要的科学意义和实用价值.

聚酰亚胺、耐电晕、纳米掺杂、电老化、绝缘

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TM215(电工材料)

2015-04-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

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