低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究

摘要：

横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C - LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT( TG - LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG - LIGBT的反向特性.通过Silvaco TCAD软件验证了了击穿电压大于500 V的两种结构LIGBT设计,实现了导通压降为1.0V,薄外延层上小元胞尺寸,且有低导通电阻、大饱和电流的TG-LIGBT器件.

关键词：LIGBT、沟槽、击穿电压、导通电阻、导通压降

所属期刊栏目：17

分类号：TN387.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60906048;黑龙江省青年科学基金QC2009C66

在线出版日期：2012-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：78-81