热退火条件下球状纳米硅晶粒成核势垒阈值研究

摘要：

利用纳秒脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温、真空环境中沉积制备了非晶Si薄膜,并通过热退火实现了薄膜样品的晶化,利用扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射(XRD)仪和Raman散射(Raman)仪等技术对退火后的样品进行形貌表征和晶态成分分析,确定了非晶Si薄膜晶化的热退火阈值温度以及在该条件下所形成球状纳米Si晶粒的平均直径,结果分别为850℃和15 nm.假定纳米Si晶粒为理想球体,结合固相晶化过程中的能量变化,计算得到了晶化形成直径15 nm球状晶粒所需要的能量,即成核势垒阈值,量级约为10-11 mJ.

关键词：脉冲激光烧蚀、热退火、纳米晶粒、成核势垒

所属期刊栏目：37

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：河北省自然科学基金资助项目A2015201166,E2017201209;河北省研究生创新资助项目CXZZBS2017024;河北省高等学校科学技术研究青年基金项目QN2017017

在线出版日期：2017-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：471-475