掺铒富硅氧化硅发光器件电致发光衰减机制

摘要：

首先采用多靶射频磁控共溅射结合后退火工艺制备了掺Er富硅氧化硅MIS(金属-绝缘体-半导体结构)电致发光器件,然后通过电致发光(EL)以及电流-电压(I-U)特性测量对发光器件的光电性能进行表征.最后,通过对比不同富硅含量的发光器件的载流子输运机制,并通过分析器件中的电荷俘获过程,对富硅氧化硅器件中铒离子电致发光的激发和猝灭机制进行了解释.结果表明:富硅的存在改变了MIS发光器件中的载流子输运过程,造成外加电场下注入的电子能量降低,进而降低Er离子发光中心的激发效率;而富硅引入的缺陷态会引起电荷俘获及俄歇效应,也会使得发光中心发生非辐射复合过程.

关键词：掺铒富硅氧化硅、电致发光、载流子输运、电荷俘获

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分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：河北省科技计划项目13214315;河北省高校科学技术研究项目QN20131115;教育部博士点基金资助项目20131301120003

在线出版日期：2017-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：360-363