NMOS管交叉耦合的能量回收电路设计

摘要：

对NMOS (N-metal oxide semiconductor)管交叉耦合逻辑(NMOS-transistor cross coupling logic,NCCL)的能量回收电路进行了研究,PMOS(P-metal oxide semiconductor)管作为输入管来降低纳米CMOS工艺中栅氧化层上的漏电流以减小功耗;在此基础上实现了绝热JK触发器电路.在90 nm CMOSBSIM3工艺模型下,用HSPICE对NCCL反相器及其JR触发器进行了模拟分析,结果表明NCCL反相器的工作频率可达到1 GHz;与ECRL(efficient charge recovery logic)反相器相比,当负载电容、时钟频率和电源电压中某一参数变化时,NCCL的功耗都出现不同程度的降低;在相同的工作条件下NCCL JK触发器的功耗约为ECRL的50％.

关键词：NMOS管交叉耦合、NCCL、NCCL JK触发器、低功耗

所属期刊栏目：36

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家杰出青年基金资助项目61204079;河北省自然科学基金资助项目F2013201196;保定市科学技术研究与发展指导计划项目14GZ036;河北省科技计划自筹经费项目15210409

在线出版日期：2016-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：327-331