10.3969/j.issn.1000-1565.2016.03.003
InAs/GaAs量子点激光器增益特性
由于载流子在3个维度受到量子限制,半导体量子点具有类似于原子的分立能级,并展现出许多独特的光学和电学性能.实验研制了InAs/GaAs量子点半导体激光器,分别采用傅里叶级数展开方法和Hakki-Paoli方法准确地测量和表征量子点激光器的模式增益,分析了其增益与损耗.实验结果表明Hakki-Paoli方法受测量系统分辨率影响大,在增益谱峰值附近由其得到的增益明显偏低,采用傅里叶级数展开方法并由测试系统响应函数进行修正,可以获得更准确的增益谱.
半导体激光器、量子点、模式增益
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
中国人民公安大学基本科研业务费资助项目2014JKF0013
2016-08-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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