脉冲激光沉积纳米Si晶粒气相生长的蒙特卡罗模拟

摘要：

采用蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟方法,引入粘连成核模型,模拟了脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒的气相成核与长大过程,并研究了初始烧蚀Si粒子总数对纳米晶粒尺寸和密度分布的影响.研究结果表明:随着初始烧蚀Si粒子总数增大,纳米晶粒数目增多,尺寸分布变宽,Si晶粒尺寸分布近似满足幂函数衰减规律.给出了烧蚀粒子和环境气体密度随时间演化图,所得结论可为进一步研究纳米晶粒生长动力学提供理论依据.

关键词：粘连成核、蒙特卡罗模拟、脉冲激光烧蚀、尺寸分布

所属期刊栏目：34

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：973计划前期研究专项2011CB612305;河北省自然科学基金资助项目E2012201035,E2011201134

在线出版日期：2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：248-252