高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能

摘要：

采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 am厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.

关键词：ZrO2薄膜、高介电栅介质、等效厚度、漏电流

所属期刊栏目：29

分类号：TN304.2+1;O484(半导体技术)

资助基金：中科院研究生科学与社会实践资助专项创新研究项目;中科院知识创新工程青年人才领域前沿项目072C201301

在线出版日期：2009-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：484-488,554