碳化硅薄膜的光学特性研究
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10.3969/j.issn.1000-1565.2007.01.009

碳化硅薄膜的光学特性研究

引用
采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HW-PECVD)技术制备了纳米晶碳化硅(nc-SiC)薄膜,利用傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)、紫外-可见透射光谱(UV-Vis)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构、光学带隙、发光特性等进行了测量和分析.结果表明,所沉积薄膜主要以Si-C键合结构存在,薄膜中包含有立方结构的3C-SiC晶粒,光学带隙2.59 eV,室温下薄膜表现出强的可见蓝色光致发光,发光峰位随氙灯激发波长的增加呈现红移现象,并将此发光归因于量子限制效应作用的结果.

SiC薄膜、薄膜结构、光学带隙、光致发光

27

O484.4+1(固体物理学)

河北省自然科学基金503129

2007-04-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

24-27

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河北师范大学学报(自然科学版)

1000-1565

13-1077/N

27

2007,27(1)

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