H2/CH4/H2S/Ar气氛合成n型金刚石薄膜过程中硫分布的数值模拟

摘要：

本工作采用Monte Carlo方法,根据辉光放电理论,对以H2S为掺杂源气体采用EACVD技术合成n型硫掺杂的金刚石薄膜的动力学过程进行了模拟.得出不同气压、偏压情况下n型硫掺杂的金刚石薄膜的动力学过程中掺杂元素S和S+粒子数分布,计算结果对掺杂过程的研究具有参考价值.

关键词：Monte Carlo、方法、金刚石薄膜、n型掺杂、EACVD

所属期刊栏目：25

分类号：O53(等离子体物理学)

资助基金：河北省自然科学基金503130

在线出版日期：2005-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：369-372,398