10.3969/j.issn.0258-0934.2016.12.001
半导体阵列微剂量探测器前端读出电路设计
根据三维Si SOI PIN像素微剂量探测器特性参数,设计了一种基于GF chrt018IC CMOS工艺的前端读出电路.该读出电路主要包括PMOS输入的电荷灵敏前前置放大器,有源整形滤波电路,电压比较器及基准电流源等,可实现对微剂量信号的放大、滤波降噪、甄别输出等功能.仿真测试表明:能量探测范围为5 ~500 fC,单通道功耗约为2 mW,总噪声性能为0.05 fC+ 1.6×10-3 fC/pF.
微剂量探测器、电荷灵敏前放(CSA)、SOI、专用集成电路
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TL81(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)
国家自然科学基金资助项目11175139,11575139
2017-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1187-1191