二维过渡金属硫化物中Rashba自旋轨道耦合效应的电场调控研究

摘要：

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对6种二维过渡金属硫化物MX2(M=Mo,W;X=S,Se,Te)中的Rashba自旋轨道耦合效应进行了系统研究.对6种MX2材料施加垂直方向电场,发现阴离子X对于电场诱导的Rashba自旋轨道耦合效应起主要作用:X原子序数越大,电场诱导的Rashba劈裂也越大;阳离子M被阴离子X覆盖,对电场诱导的Rashba自旋劈裂影响较弱.因此,6种MX2单层的Rashba自旋劈裂大小依次为:WTe2 ＞MoTe2＞WSe2 ＞MoSe2 ＞WS2 ＞MoS2.施加电场后,从布里渊区中心Γ点到布里渊区边界K/K＇点,自旋方向二维平面内转向垂直方向,并且随着电场的增加,面内自旋成分逐渐增加.

关键词：二维过渡金属硫化物、Rashba自旋轨道耦合、第一性原理计算

分类号：O411.3(理论物理学)

资助基金：上海市自然科学基金14ZR1412700;国家自然科学基金61774059

在线出版日期：2018-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：101-108