硅纳米电极超低电压场致电离特性研究

摘要：

用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线,其平均长度为20 μm,平均直径100 nm.将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极,建立场致电离的测试系统,并在常温常压下测试出电离的全伏安特性,得出了一维纳米电极系统气体电离的规律.测试结果表明,利用湿法化学刻蚀制备的硅纳米线作为一维纳米电极,可以大大降低系统的击穿电压,原因在于它具有较高的场增强因子、小尺寸效应以及高的缺陷密度.

关键词：硅纳米线、场致电离、击穿电压、湿法化学刻蚀

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61076070;南通市应用研究计划项目BK2012039;南通大学自然科学基金项目10Z025

在线出版日期：2013-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：194-201