覆镍硅微通道板用于三维超级电容器的研究

摘要：

采用无电镀方法在硅微通道板上制备镍,然后进一步通过化学液相沉积法,在其上面制备了氢氧化镍纳米晶体,获得了一种具有独特三维结构的Si-MCP/Ni/Ni(OH)2超级电容器.研究发现,制得的氢氧化镍晶体由许多纳米薄片组成,XRD图谱显示其具备α和β两种晶型.通过循环伏安和计时电位法对该超级电容器进行了性能测试.在放电电流为10 mA时,样品获得最大放电比容量,为2 150 F/g.在多次循环测试中,样品的稳定性良好.随着退火温度的升高,样品的容量下降.研究发现氢氧化镍的表面积减小是导致容量衰减的主要原因.由于该电容器有着巨大的比容量和良好的稳定性,该三维结构有望应用于二次电源和相关器件中.

关键词：三维、硅微通道板、氢氧化镍、超级电容器

分类号：O649.4(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金61176108;上海市基础重点项目11JC1403700;上海市国际合作项目10520704400;上海市自然科学基金11ZR1411000

在线出版日期：2013-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1-9