MBE生长的InAs1-xSbx外延层Eg和x测量

摘要：

MBE生长的外延三元化合物材料InAs1-xSbx/AlSb/GaAs 等是研制红外光通讯探测器的重要材料,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x是个重要课题.该文简要地提出与本研究有关的二维(2D)体系态密度D2D和自由载流子面密度等物理量的数学表达式并采用变温Van der-Pauw-Hall实验对上述半导体样品进行测试,分别用2D和3D体系的理论对实验数据进行分析处理,实验结果表明:2D理论得出的Eg和x比3D理论处理有明显改善,2D理论更适合于上述外延材料以及类似的多元外延的材料的测试分析.

关键词：2D半导体、自由载流子面密度、禁带宽度

分类号：TN304.07(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：50-55