SP2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响

摘要：

该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜(a-DF)的电子场发射性能,SP2键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异,SP2键含量越高,阈值电场越小,发射电流越大,同时失效率也较高.SP2键含量为6.5%,20%,40%的薄膜,其阈值电场分别为2.7V/μm,1.5V/μm,0.7V/μm,远小于金属和硅尖锥的阈值电场.所有样品的发射点均为随机的点状分布.

关键词：非晶金刚石薄膜、真空磁过滤弧沉积、SP2键、场发射

分类号：O462.4(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：中国科学院资助项目69671011

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：45-48