10.14135/j.cnki.1006-3080.20190403001
无机缓冲层对柔性AZO薄膜光电及耐弯曲性能的影响
采用中频反应磁控溅射法,在柔性聚对苯二甲酸乙二酯(PET)衬底上分别以TiO2、SnO2和ZnO为缓冲层,室温沉积了铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,研究了不同缓冲层对柔性AZO薄膜光电性质和耐弯曲特性的影响.研究结果表明,3种缓冲层均可以有效改善柔性AZO薄膜的电学性质,其中在SnO2缓冲层上,氩气和氧气流量比为5:1条件下生长的AZO薄膜光电性能提高最为显著,薄膜电阻率明显降低,可见光区域平均透过率超过85%.SnO2和ZnO缓冲层对于100~1000次内弯曲时的AZO薄膜电学性质的蜕化具有非常显著的限制作用,而TiO2和SnO2缓冲层则对100~1000次外弯曲时的薄膜的耐弯曲性能的改善效果最佳.
柔性AZO薄膜、磁控溅射、无机缓冲层、光电性质、耐弯曲特性
46
O469(真空电子学(电子物理学))
2020-09-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
573-578