基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计

摘要：

通过对三值静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)单元和数据比较电路结构以及碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出了基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计方案.首先利用CNFET阈值可调特性和开关信号理论设计三值缓冲器,采用反馈控制连接技术实现三值SRAM存储;然后结合三值SRAM单元和三值逻辑原理设计三值内容寻址存储器单元;最后实验验证,所设计的三值内容寻址存储器单元具有正确的逻辑功能,且与三态内容寻址存储器单元相比功耗延时积(Power-Delay Product,PDP)降低约83％.

关键词：CNFET、三值数据比较、CAM、三值逻辑

所属期刊栏目：44

分类号：TN334.3(半导体技术)

资助基金：浙江省公益性技术应用研究计划项目2016C31078;国家自然科学基金61474068,61234002

在线出版日期：2019-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：724-729