10.14135/j.cnki.1006-3080.2017.06.008
Nb2O5掺杂对SrTiO3陶瓷显微结构和微波介电损耗的影响
采用无压烧结工艺制备了Nb2O5掺杂SrTiO3陶瓷,研究了Nb2O5掺杂量对SrTiO3陶瓷相组成、显微结构和微波介电损耗的影响.结果表明:Nb2O5掺杂对SrTiO3陶瓷的相结构没有产生明显的影响,但会在一定程度上阻碍样品的致密化,同时促进晶粒的生长.随着Nb2O5掺杂量的增加,SrTiO3陶瓷的介电常数从296逐渐下降至230左右,温度系数从1.714×10-3℃-1逐渐下降至1.629×10-3℃-1,Q×f值则先急剧升高,之后又慢慢下降.当Nb2O5掺杂量为0.15%(质量分数,下同)时,SrTiO3陶瓷样品的介电损耗最低,Q×f可达6 281 GHz,大约是纯SrTiO3(1 145 GHz)陶瓷样品的5.5倍(此时介电常数约为270,温度系数约为1.684×10-3℃-1).此外,对材料显微结构、介电常数、温度系数特别是介电损耗变化的原因进行了分析.
钛酸锶、Nb2O5掺杂、显微结构、微波介电损耗
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TQ174
2018-01-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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