二维三氧化钨纳米结构的合成及其在光电探测器中的应用
三氧化钨(WO3)是制造晶体管和光电探测器的理想材料,虽然在WO3纳米结构的生长方面已经完成了一些工作,但是制造足够长的理想型纳米线仍然是一个挑战.在众多的合成方法中,作者选择了化学气相沉积(CVD)方法合成WO3纳米线,并对其在光电传感器中的应用进行了研究.影响WO3纳米线成品率的主要因素是前体材料温度、基片位置、载气流速和生长持续时间.在合适的生长条件下生长的纳米线长度最长约为100 μm.这些WO3纳米线可用来制造高性能的光电探测器,WO3光电探测器具有灵敏度高、响应速度快、模块微型化等优良的器件性能,表明二维WO3纳米线在光电探测器的制造中具有很大的优势.
三氧化钨(WO3)、光电探测器、二维材料、纳米结构
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TL334(核反应堆工程)
2022-03-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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