基于三极管的CFBR-II堆辐射损伤常数测定

摘要：

为获取CFBR-II堆与其他装置建立辐射损伤等效系数的实验依据,在CFBR-II堆稳态工况下开展典型三极管的辐射损伤常数测定工作.结果表明,硅三极管的辐射损伤常数在4×10~(-16)～6×10~(-16) cm~2之间;对于直流增益与中子注量的线性关系的适用范围,集电极注入电流可以拓展到300 mA.

关键词：CFBR-II堆、三极管、中子注量、直流增益、辐射损伤常数

所属期刊栏目：31

分类号：TN322.8(半导体技术)

在线出版日期：2010-04-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：140-142