不同杂散光模型对光刻掩膜特征尺寸影响研究

摘要：

杂散光仿真模型在光刻投影系统应用中具有重要的作用.由于杂散光对光刻掩膜特征尺寸CD(Critical Dimension)成像有一定的影响,亟需一种恰当的杂散光成像模型.通过采用PSFF函数杂散光拟合模型和Kirk杂散光模拟模型,提出了一种改进的考虑杂散光成像的光刻模型.利用改进的杂散光模型研究了在相同杂散光总量下,不同比例中程、远程杂散光对特征尺寸的影响.结果显示,当总杂散光量相同时,仿真分析得出远程杂散光的影响大于中程杂散光,即远程杂散光的比例占的越大,显影后的特征尺寸比实际特征尺寸越小.

关键词：光刻投影曝光、特征尺寸、杂散光、Kirk模拟模型、PSFF函数拟合模型

所属期刊栏目：42

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金地区项目11664002;江西省自然科学基金20122BAB212011;东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心开放基金JXNE2016-16,JXNE2017-05;江西省教育厅青年科学基金GJJ14499,GJJ14500;江西省教育厅教学改革研究JXJG-16-6-26;东华理工大学博士启动基金DHBK2013205,DHBK1011

在线出版日期：2019-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：95-100