GaN基带电粒子探测器能谱测量的改进研究

摘要：

分析了GaN和Si两种不同探测器的电荷灵敏前置放大器增益,修正了GaN基带电粒子探测器能谱的放大倍数.利用241Am和239Pu两种d粒子源标定了能量与道指的关系,获得了能量刻度曲线方程.根据标定的曲线方程,测量了修正前后的GaN基pin探测器241Am源的能谱.修正后的测量结果表明,当反向偏压为-10V时,5.48 MeV的241Am源在GaN基pin探测器里沉积的能量约为620 keV.

关键词：GaN、能量刻度、探测器、能谱、带电粒子

所属期刊栏目：41

分类号：TL817.2(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

资助基金：江西省自然科学基金20133ACB20005;国家自然科学基金重点项目41330318;江西省主要学科学术和技术带头人培养计划20142BCB22006;核技术应用教育部工程研究中心开放基金HJSJYB2016-3

在线出版日期：2019-04-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：400-404