10.3969/j.issn.1671-5381.2015.05.025
气相法制备ZnO纳米阵列研究进展
ZnO作为一种具有优良性质的半导体材料,其纳米结构的制备方法得到广泛研究.气相法制备ZnO纳米阵列具有产物容易阵列及收集方便等特点,就近些年来ZnO纳米阵列的气相制备法研究情况做一总结和归纳,主要有化学气相沉积法、物理气相沉积法、金属有机物化学气相沉积法、化学气相输运法及脉冲激光沉积法等,并对不同实验方法合成的ZnO纳米阵列形貌结构及生长环境进行分析讨论,简单探讨气-液-固和气-固生长机理,为探索简单、方便,产物形貌结构及尺寸大小可控性强的气相制备方法提供依据.
ZnO、制备、纳米阵列
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TQ132.4
陕西国防工业职业技术学院2015年科研基金资助项目Gfy15-01
2015-12-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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