10.3969/j.issn.1001-9383.2008.01.010
等离子喷射CVD金刚石膜制备过程中的断弧保护
通过对等离子体喷射CVD金刚石设备的控制电路的改进,增加了沉积过程中在断弧情况下对已经沉积的膜的保护.该部分是在不影响开机点火的前提下,从主电流(电弧电流)取信号来控制冷却系统,使已生成的金刚石膜缓慢地冷却到室温,减小金刚石膜与衬底因温度瞬间下降而造成的相互作用力,金刚石内应力的释放相对减少.宏观裂纹明显减少,提高膜的完整性和产品的利用率和出材率.
控制电路、应力、继电器、效率
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TB383(工程材料学)
2008-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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