真空退火处理CoFe对薄膜结构及磁电阻特性的影响

摘要：

用粉末冶金方法制备了Co90Fe10,研究了不同退火温度对电子束蒸发方法制备的CoFe薄膜磁电阻特性和微结构的影响.CoFe薄膜在优于5.5×10-4Pa的本底真空度下室温沉积在热氧化Si基片上.随后,样品在3×10-5Pa真空度下分别进行了150℃,280℃,330℃,450℃的60分钟退火处理.靶材的扫描电镜图像显示粉末冶金方法制备的靶材比较疏松.电阻率和磁电阻测量表明450℃退火处理能够明显降低CoFe薄膜电阻率和提高磁电阻变化率.X射线衍射发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe膜(111)晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距,退火处理使膜(111)晶面面间距明显减小,趋向靶材面间距.

关键词：CoFe薄膜、电子束蒸发、各向异性磁电阻、退火

所属期刊栏目：26

分类号：O484.4(固体物理学)

在线出版日期：2004-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：87-89