10.3969/j.issn.1674-0262.2002.03.015
高居里温度PTC陶瓷制备过程中铅的挥发与控制
通过对3种不同工艺的研究,分析了高居里温度PTC材料制备过程中铅挥发的原因和机制,以及对材料电性能造成的影响.进而研究了氮化硼添加剂改善材料电性能和显微结构的原因,从而提出了控制材料制备过程中铅的挥发、优化材料性能的方法.
PTC、铅挥发、高居里点
24
TQ174.75+8
2004-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
72-75
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10.3969/j.issn.1674-0262.2002.03.015
PTC、铅挥发、高居里点
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TQ174.75+8
2004-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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