10.3969/j.issn.1672-7169.2014.04.014
稀土 Dy 掺杂纳米 CdO 薄膜的特性分析
为改善氧化物半导体薄膜的特性,采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备稀土Dy掺杂纳米CdO薄膜并进行热处理,对薄膜进行结构、电学和光学特性进行测试分析。实验结果给出:掺杂稀土Dy后CdO薄膜沿(111)晶向的衍射峰增强,随掺Dy含量增大峰强度逐渐减弱,掺Dy含量为5%时可促进CdO薄膜晶粒的生长,改善薄膜晶相结构特性。制备的薄膜表面颗粒均匀,存在颗粒聚集现象。掺Dy含量为9%时,在波长大于900 nm的范围透光率可达90%,高于纯CdO薄膜。
稀土Dy掺杂、真空蒸发、热处理、结构
TN304.3(半导体技术)
2014-05-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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