CdS修饰低密度TiO 2纳米棒阵列 复合膜的制备及光电性能

摘要：

为了提高CdS光敏层在TiO 2一维纳米棒阵列中的填充率,在TiO 2种子层的基础上,采用水热法于FTO导电玻璃表面生长了棒长较短、棒间距较大的低密度TiO 2一维纳米棒阵列膜,通过化学浴沉积在TiO 2纳米棒表面包覆CdS种子层,以此为基底采用水热法于TiO 2一维纳米阵列中生长CdS光敏层.采用SEM,XRD及紫外-可见吸收光谱对不同CdS水热生长时间的TiO 2/CdS复合膜结构进行了表征,并对其光电性能进行了研究.结果表明,低密度TiO 2纳米棒阵列有利于CdS生长液在阵列中渗入形成完全包覆的CdS种子层,CdS光敏层通过水热过程在整个TiO 2纳米棒表面均匀生长,逐渐形成CdS对TiO 2纳米棒阵列的完全填充和包覆,并在阵列顶端形成由CdS纳米短棒组成的花状修饰层;CdS的修饰将TiO 2一维纳米阵列膜的光吸收拓展至可见光区,水热生长7 h所得到的TiO 2/CdS复合膜具有最高光电流.所制备的CdS修饰低密度TiO 2纳米棒复合膜在太阳电池器件中具有很好的应用前景.

关键词：电化学、低密度TiO2纳米棒阵列、短棒状CdS、水热法、光电性能

所属期刊栏目：39

分类号：O646(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金21173065,21603053;河北省自然科学基金B2014208062,B2014208066;河北省科技计划项目13214413;河北科技大学博士启动基金000691,010087

在线出版日期：2018-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：470-476