HfO2和Al2O3混合原子层沉积反应机理的密度泛函理论研究

摘要：

密度泛函理论研究了用HfCl4和AI(CH3)3作为前体,HfO2和Al2O3在硅表面的原子层沉积的机理,其包括2个沉积半反应:(1)HfCl4和Al-OH*的表面反应;(2)Al(CH3)3和Hf-OH*的表面反应.计算结果表明,2个半反应过程机理相似,内禀反应坐标研究也表明2个半反应经历了相似的过渡态和副产物的消除路径.另外,升高反应温度,反应(1)中间体的解吸附作用增强,而活化能降低,反应(2)活化能基本不变.

关键词：密度泛函理论、介质氧化物、原子层沉积

所属期刊栏目：29

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目20776037;中国博士后科学基金资助项目2004035450;河北科技大学杰出青年基金资助项目2006JC-3

在线出版日期：2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：128-132