氮化镓电源芯片的TF参数测试与可靠性评估

摘要：

本文详细介绍了氮化镓(GaN)电源芯片漏极下降时间(TF)参数的测试电路和老炼试验电路设计.以纳微(Navitas)半导体公司生产的NV6117电源芯片为例,通过对比NV6117电源芯片老炼试验前后TF参数的变化,对氮化镓电源芯片的可靠性水平进行量化评估,保证了应用电路的可靠性.

关键词：GaN电源芯片、可靠性评估、时间参数测试、NV6117

所属期刊栏目：33

分类号：TP211(自动化技术及设备)

资助基金：河北省专业学位教学案例库建设项目KCJSZ2021103

在线出版日期：2023-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

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